参数资料
型号: W947D2HBJX5E
厂商: Winbond Electronics
文件页数: 58/60页
文件大小: 0K
描述: IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA
标准包装: 240
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: 移动 LPDDR SDRAM
存储容量: 128M(4Mx32)
速度: 200MHz
接口: 并联
电源电压: 1.7 V ~ 1.95 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
封装/外壳: 90-TFBGA
供应商设备封装: 90-VFBGA(8x13)
包装: 托盘
W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
10. ORDERING INFORMATION
Mobile LPDDR/LPSDR SDRAM Package Part Numbering
W 94 7 D 6 H B H X 5 I
Product Line
98:mobile LPSDR SDRAM
94:mobile LPDDR SDRAM
Density
7:2 7 =128M 8:2 8 =256M
9:2 9 =512M
Power Supply
D:1.8/1.8 V DD / V DDQ
I/O Ports width
6:16bit
2:32bit
Generation
Design revision.
Package or KGD
K: KGD
B: BGA
Temperature
with standard Idd6
G:-25C~85C
with low power Idd6
E:-25C~85C
I:-40C~85C
Clock rate
5:5ns ? 200MHz
6:6ns ? 166MHz
7:7.5ns ? 133MHz
Package Material
X: Lead-free + Halogen-free
Package configuration code
G: 54VFBGA, 8mmx9mm
H: 60VFBGA, 8mmx9mm
J: 90VFBGA, 8mmx13mm
Part number
V DD /V DDQ I/O width Package
Others
W947D6HBHX5I
W947D6HBHX5E
W947D6HBHX6E
W947D6HBHX6G
W947D2HBJX5I
W947D2HBJX5E
W947D2HBJX6E
W947D2HBJX6G
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
16
16
16
16
32
32
32
32
60VFBGA
60VFBGA
60VFBGA
60VFBGA
90VFBGA
90VFBGA
90VFBGA
90VFBGA
200MHz, -40C~85C, Low power
200MHz, -25C~85C, Low power
166MHz, -25C~85C, Low power
166MHz, -25C~85C
200MHz, -40C~85C, Low power
200MHz, -25C~85C, Low power
166MHz, -25C~85C, Low power
166MHz, -25C~85C
Publication Release Date:Jun,17, 2011
- 58 -
Revision A01-003
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