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参数资料
| 型号： | W947D2HBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 5/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（4Mx32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
3. PIN CONFIGURATION
3.1 Ball Assignment: LPDDR X16
60 BALL VFBGA
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
1
VSS
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CKE
A9
A6
VSS
2
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK
A11
A7
A4
3
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
NC
CK
NC
A8
A5
4
5
6
7
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
WE
CS
A10/AP
A2
8
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
CAS
BA0
A0
A3
9
VDD
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
RAS
BA1
A1
VDD
(Top View) Pin Configuration
3.2 Ball Assignment: LPDDR X32
90 BALL VFBGA
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
VSS
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CKE
A9
A6
A4
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
2
DQ31
DQ29
DQ27
DQ25
DQS3
DM3
CK
A11
A7
DM1
DQS1
DQ9
DQ11
DQ13
DQ15
3
VSSQ
DQ30
DQ28
DQ26
DQ24
NC
CK
NC
A8
A5
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
VSSQ
4
5
6
7
VDDQ
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
NC
WE
CS
A10/AP
A2
DQ7
DQ5
DQ3
DQ1
VDDQ
8
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
DQS2
DM2
CAS
BA0
A0
DM0
DQS0
DQ6
DQ4
DQ2
DQ0
9
VDD
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
RAS
BA1
A1
A3
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
(Top View) Pin Configuration
Publication Release Date:Jun,17, 2011
- 5 -
Revision A01-003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W948D2FBJX5E | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W947D2HBJX5I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D2HBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| W947D2HBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HBHX5E | 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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