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参数资料
| 型号： | W947D2HBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 34/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（4Mx32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
7.6.1 Write Command
CK
CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-An
A10
BA0,BA1
(High)
CA
Enable AP
AP
Disable AP
BA
= Don't Care
BA=BANK Address
CA=Coulmn Address
AP=Auto Precharge
7.6.2 Basic Write Timing Parameters
Basic Write timing parameters for DQs are shown in figure below; they apply to all Write operations.
Input data appearing on the data bus, is written to the memory array subject to the DM input logic level appearing
coincident with the data. If a given DM
signal is registered Low, the corresponding data will be written to the
memory; if the DM signal is registered High, the corresponding data inputs will be ignored, and a write will not be
executed to that byte / column location.
CK
t CK
t CH
t CL
Case 1:
CK
t DQSS
t DQSH
t DSH
t DSH
tDQSS =
min
DQS
t WPRES
t WPRE
t DS
t DH
t DQSL
t WPST
Case 2:
tDQSS =
max
DQ, DM
DQS
t WPRES
DI
n
t DQSS
t DS
t DQSH
t WPRE
t DH
t DSS
t DQSL
t DSS
t WPST
DQ, DM
1) DI n=Data In for column n
DI
n
= Don't Care
2) 3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI n.
3) tDQSS: each rising edge of DQS must fall within the +/-25% window of the corresponding positive
clock edge.
Publication Release Date:Jun,17, 2011
- 34 -
Revision A01-003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W948D2FBJX5E | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W947D2HBJX5I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D2HBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| W947D2HBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HBHX5E | 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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