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参数资料
| 型号： | W947D2HBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 33/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（4Mx32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
CK
CK
Command
READ
NOP
PRE
NOP
NOP
NOP
Address
BA,Col n
CL=2
Bank
(a or all)
t RP
BA,Row
DQS
DQ
DO n
CL=3
DQS
DQ
1) DO n=Data Out from column n
DO n
= Don't Care
2) Cases shown are either uninterrupted of 4, or interrupted bursts of 8 or 16
3) Shown with nominal tAC,tDQSCK and tDQSQ
4) Precharge may be applied at (BL/2) tCK after the READ command.
5) Note that Precharge may not be issued before tRAS ns after the ACTIVE command for applicable banks.
6) The ACTIVE command may be applied if tRC has been met.
7.5.11 Burst Terminate of Read
The BURST TERMINATE command is used to truncate read bursts (with Auto Pre-charge disabled). The most
recently registered READ command prior to the BURST TERMINATE command will be truncated. Note that the
BURST TERMINATE command is not bank specific.
This command should not be used to terminate write bursts.
CK
CK
CKE
(High)
CS
RAS
CAS
WE
A0-An
BA0,BA1
= Don't Care
7.6 Write
The WRITE command is used to initiate a burst write access to an active row, with a burst length as set in the Mode
Register. BA0 and BA1 select the bank, and the address inputs select the starting column location. The value of A10
determines whether or not Auto Pre-charge is used. If Auto Pre-charge is selected, the row being accessed will be
pre-charged at the end of the write burst; if Auto Pre-charge is not selected, the row will remain open for subsequent
accesses.
Publication Release Date:Jun,17, 2011
- 33 -
Revision A01-003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W948D2FBJX5E | IC LPDDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W949D2CBJX5E | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| W971GG6JB25I | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA |
| W971GG8JB-25 | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60WBGA |
| W9725G6IB-25 | IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W947D2HBJX5I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D2HBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| W947D2HBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HBHX5E | 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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