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参数资料
| 型号： | W947D2HBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 31/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（4Mx32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
7.5.7 Random Read Bursts
Full-speed random read accesses within a page or pages can be performed as shown in following figure.
CK
CK
Command
Address
READ
BA,Col n
READ
BA,Col x
READ
BA,Col b
READ
BA,Col g
NOP
NOP
CL=2
DQS
DQ
DO n
DO n I
DO x
DO x I
DO b
DO b I
DO g
DO g I
CL=3
DQS
DQ
DO n
DO n I
DO x
DO x I
DO b
DO b I
1) DO n ,etc. = Data Out from column n, etc.
n I , x I , etc. = Data Out elements, according to the programmed burst order
2) BA, Col n = Bank A, Column n
3) Burst Length=2,4,8 or 16 in cases shown (if burst of 4,8 or 16, the burst is interrupted)
4) Reads are to active rows in any banks
7.5.8 Read Burst Terminate
= Don't Care
Data from any READ burst may be truncated with a BURST TERMINATE
command, as shown in figure. The
BURST TERMINATE latency is equal to the read (CAS) latency, i.e., the BURST TERMINATE command should be
issued X cycles after the READ command where X equals the desired data-out element pairs.
CK
CK
Command
READ
BST
NOP
NOP
NOP
NOP
Address
BA,Col n
CL=2
DQS
DQ
CL=3
DQS
DQ
1) DO n = Data Out from column n
= Don't Care
2) BA,Col n = Bank A, Column n
3) Cases shown are bursts of 4,8 or 16 terminated after 2 data elements.
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
Publication Release Date:Jun,17, 2011
- 31 -
Revision A01-003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W947D2HBJX5I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D2HBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
| W947D2HBJX6G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HBHX5E | 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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