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参数资料
| 型号： | W9751G6KB-25 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 79/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9751G6KB
11.19 Burst read operation followed by precharge: RL=4 (AL=0, CL=4, BL=8,
t RTP > 2clks)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
Precharge
NOP
NOP
Bank A
Activate
AL + BL/2 + max(RTP, 2) - 2 clks
DQS,
DQS
AL = 0
CL = 4
RL = 4
≥ t RP
DQ's
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
Dout
A4
Dout
A5
Dout
A6
Dout
A7
≥ t RAS
≥ t RTP
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
11.20 Burst write operation followed by precharge: WL = (RL-1) = 3
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK/CLK
CMD
Post CAS
WRITE A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Precharge
Completion of the Burst Write
≥ t WR
DQS,
DQS
WL = 3
DQ's
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
Publication Release Date: Sep. 03, 2012
- 79 -
Revision A04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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