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参数资料
| 型号： | IXGN82N120B3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 145A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 15V，82A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN82N120B3H1
Fig. 18. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
Fig. 19. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Collector Current
160
90
140
36
140
120
100
t ri t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 600V
80
70
60
120
100
80
t ri t d(on) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
T J = 125oC, 25oC
34
32
30
80
I
C
= 80A
50
60
28
60
40
40
26
40
I
C
= 40A
30
20
24
20
20
0
22
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
110
R G - Ohms
Fig. 20. Inductive Turn-on
Switching Times vs. Junction Temperature
40
I C - Amperes
100
t ri
t d(on) - - - -
38
90
80
70
60
50
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
I C = 80A
36
34
32
30
28
40
I
C
= 40A
26
30
20
24
22
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
T J - Degrees Centigrade
Fig. 21. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: G_82N120B3H1(8T)5-14-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN82N120C3H1 | IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B |
| IXSN35N100U1 | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
| IXSN50N60BD3 | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N100A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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