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参数资料
| 型号： | IXGN82N120C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.9V @ 15V，82A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 130A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
Advance Technical Information
GenX3 TM 1200V
IGBT w/ Diode
IXGN82N120C3H1
V CES
I C110
V CE(sat)
= 1200V
= 58A
≤ ￡ 3.9V
High-Speed PT IGBT for
20-50 kHz Switching
SOT-227B, miniBLOC
E153432
Symbol
V CES
V CGR
V GES
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
1200
1200
± 20
V
V
V
G
E
V GEM
I C25
I C110
I F110
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
Transient
T C = 25 ° C
T C = 110 ° C
T C = 110 ° C
T C = 25 ° C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 3 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
± 30
130
58
42
500
I CM = 164
V CE ≤ V CES
595
-55 ... +150
V
A
A
A
A
A
W
° C
E
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
T JM
T stg
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
V~
V~
Optimized for Low Switching Losses
Square RBSOA
High Current Capability
Isolation Voltage 2500 V~
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
V GE(th)
I CES
I GES
I C = 1mA, V CE = V GE
V CE = V CES , V GE = 0V, Note 1
V CE = 0V, V GE = ± 20V
T J = 125 ° C
3.0
5.0 V
50 μ A
6 mA
±200 nA
Power Inverters
UPS
SMPS
PFC Circuits
Welding Machines
V CE(sat)
I C
= 82A, V GE = 15V, Note 2
3.3
3.9
V
Lamp Ballasts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100171(7/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN35N100U1 | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
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| IXSN55N120AU1 | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N100A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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