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参数资料
| 型号： | IXGN82N120B3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 145A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 15V，82A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN82N120B3H1
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
11
10
9
9
10
9
E off E on - ---
T J = 125oC , V GE = 15V
V CE = 600V
9
8
8
7
E off E on ----
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
T J = 125oC
8
7
6
6
8
I
C = 80A
7
5
5
7
6
6
5
5
4
4
3
2
T J = 25oC
4
3
2
4
3
I C = 40A
3
2
1
0
1
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
R G - Ohms
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
I C - Amperes
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
9
10
700
900
8
7
6
5
E off E on ----
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
I C = 80A
9
8
7
6
650
600
550
t fi t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 600V
800
700
600
4
5
500
I
C
= 80A
500
3
2
I C = 40A
4
3
450
400
I
C
= 40A
400
300
1
0
2
1
350
300
200
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
R G - Ohms
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
700
500
800
340
600
500
t fi t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
450
400
700
600
t fi t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
320
300
500
280
400
T J = 125oC
350
300
300
400
300
I C = 40A, 80A
260
240
200
250
200
220
100
0
T J = 25oC
200
150
100
0
200
180
20
25
30
35
40
45
50
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70
75
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25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I C - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N100A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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