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参数资料
| 型号： | IXGN82N120B3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 145A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 15V，82A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
Advance Technical Information
GenX3 TM 1200V
IGBT w/ Diode
IXGN82N120B3H1
V CES
I C110
V CE(sat)
= 1200V
= 64A
≤ ￡ 3.2V
High-Speed Low-Vsat PT IGBT
for 3-20 kHz Switching
SOT-227B, miniBLOC
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω
Continuous
Transient
1200
1200
± 20
± 30
V
V
V
V
G
E
I C25
I C110
I F110
I CM
T C
T C
T C
T C
= 25 ° C (Chip Capability)
= 110 ° C
= 110 ° C
= 25 ° C, 1ms
145
64
42
550
A
A
A
A
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
41
750
A
mJ
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 2 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
I CM = 164
@V CE ≤ V CES
595
-55 ... +150
A
W
° C
Features
Optimized for Low Conduction and
Switching Losses
Square RBSOA
T JM
T stg
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
V~
V~
High Current Capability
Isolation Voltage 2500 V~
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
International Standard Package
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
V GE(th)
I C
= 1mA, V CE = V GE
3.0
5.0
V
Power Inverters
I CES
V CE = V CES , V GE = 0V
Note 1, T J = 125 ° C
50 μ A
6 mA
UPS
SMPS
I GES
V CE(sat)
V CE = 0V, V GE = ± 20V
I C = 82A, V GE = 15V, Note 2
2.7
±200 nA
3.2 V
PFC Circuits
Welding Machines
Lamp Ballasts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100154(05/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN82N120C3H1 | IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B |
| IXSN35N100U1 | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
| IXSN50N60BD3 | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN82N120C3H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 130Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGP10N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N100A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
| IXGP10N50A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-220AB |
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