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参数资料
| 型号： | IXGN82N120B3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 145A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.2V @ 15V，82A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 145A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 7.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 595W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN82N120B3H1
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
180
160
140
120
V GE = 15V
13V
11V
9V
320
280
240
200
V GE = 15V
13V
11V
9V
100
160
80
60
40
20
0
7V
5V
120
80
40
0
7V
5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
180
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
1.5
V CE - Volts
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
Junction Temperature
160
V GE = 15V
13V
1.4
V GE = 15V
140
11V
1.3
I
C
= 164A
120
9V
1.2
100
1.1
I
C
= 82A
80
60
40
7V
1.0
0.9
0.8
20
5V
0.7
I
C
= 41A
0
0.6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5.5
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
5.0
T J = 25oC
160
140
4.5
120
4.0
I
C
= 164A
100
3.5
80
3.0
2.5
2.0
82A
41A
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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