参数资料
型号: IXGN82N120B3H1
厂商: IXYS
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描述: IGBT 1200V 145A SOT-227
标准包装: 10
系列: GenX3™
IGBT 类型: PT
配置: 单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 3.2V @ 15V,82A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 145A
电流 - 集电极截止(最大): 50µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 7.9nF @ 25V
功率 - 最大: 595W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
IXGN82N120B3H1
Fig. 7. Transconductance
Fig. 8. Gate Charge
100
90
80
70
60
50
40
T J = - 40oC
25oC
125oC
16
14
12
10
8
6
V CE = 600V
I C = 82A
I G = 10mA
30
20
10
0
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
50
100
150
200
250
300
350
10,000
I C - Amperes
Fig. 9. Capacitance
Cies
180
160
140
120
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
1,000
Coes
80
60
40
T J = 125oC
100
f = 1 MHz
Cres
20
0
R G = 2 ?
dV / dt < 10V / ns
0
5
10
15
20
25
30
35
40
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1.000
0.100
0.010
0.001
V CE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V CE - Volts
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
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PDF描述
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参数描述
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