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参数资料
| 型号： | W9751G6IB-25 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 5/86页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA |
| 标准包装： | 210 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 2.5ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W9751G6IB
3. KEY PARAMETERS
SPEED GRADE
DDR2-800
DDR2-800
DDR2-667
SYM.
Bin(CL-tRCD-tRP)
Part Number Extension
5-5-5
25F
6-6-6
-25
5-5-5
-3
@CL = 6
Min.
Max.
2. 5 nS
8 nS
2. 5 nS
8 nS
?
?
t CK
Clock Cycle Time
@CL = 5
@CL = 4
@CL = 3
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
2.5 nS
8 nS
3.75 nS
8 nS
5 nS
8 nS
3 nS
8 nS
3.75 nS
8 nS
5 nS
8 nS
3 nS
8 nS
3.75 nS
8 nS
5 nS
8 nS
t RCD
t RP
t RC
t RAS
I DD0
I DD1
I DD4R
I DD4W
I DD5B
I DD6
I DD7
Active to Read/Write Command Delay Time
Precharge to Active Command Period
Active to Ref/Active Command Period
Active to Precharge Command Period
Operating current
Operation current (Single bank)
Operating burst read current
Operating burst write current
Burst refresh current
Self refresh current
Operating bank interleave read current
Min.
Min.
Min.
Min.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
12.5 nS
12.5 nS
52.5 nS
40 nS
95 mA
110 mA
176 mA
175 mA
135 mA
7 mA
300 mA
15 nS
15 nS
55 nS
40 nS
94 mA
109 mA
176 mA
175 mA
135 mA
7 mA
300 mA
15 nS
15 nS
55 nS
40 nS
84 mA
94 mA
155 mA
160 mA
125 mA
7 mA
290 mA
Publication Release Date: Oct. 23, 2009
-5-
Revision A06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9751G6KB-25 | IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
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