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参数资料
| 型号： | W9425G6EH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 49/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9425G6EH
11.19 2 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 2)
? t CK = 100 MHz
CLK
CLK
t RC(b)
t RC(a)
t RRD
t RRD
CMD
ACTa
ACTb
READAa
READAb
ACTa
ACTb
t RCD(a)
t RAS(a)
t RCD(b)
t RP(a)
DQS
t RAS(b)
t RP(b)
Preamble
Postamble
Preamble
Postamble
CL(a)
CL(b)
DQ
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b
ACTa/b : Bank Act. CMD of bank a/b
READAa/b : Read with Auto Pre.CMD of bank a/b
APa/b : Auto Pre. of bank a/b
APa
APb
11.20 2 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 4)
CLK
CLK
t RC(b)
t RC(a)
t RRD
t RRD
CMD
ACTa
ACTb
READAa
READAb
ACTa
ACTb
t RCD(a)
t RAS(a)
t RCD(b)
t RP(a)
DQS
t RAS(b)
Preamble
CL(a)
CL(b)
t RP(b)
Postamble
DQ
Q0a
Q1a
Q2a
Q3a
Q0b
Q1b
Q2b
Q3b
ACTa/b : Bank Act. CMD of bank a/b
READAa/b : Read with Auto Pre.CMD of bank a/b
APa/b : Auto Pre. of bank a/b
- 49 -
APa
APb
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
Revision A08
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PDF描述 |
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