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参数资料
| 型号： | W9425G6EH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 43/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9425G6EH
11.9 Auto-precharge Timing (Read cycle, CL = 2), continued
2) t RCD/RAP(min) ≤ t RCD (READA) < t RAS (min) – (BL/2) × t CK
BL=2
CLK
CLK
t RAS
t RP
CMD
ACT
READA
AP
ACT
t RAP
t RCD
DQS
BL=4
DQ
Q0
Q1
CMD
ACT
READA
AP
ACT
t RAP
t RCD
DQS
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
BL=8
CMD
ACT
READA
AP
ACT
t RAP
t RCD
DQS
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Notes: CL2 shown; same command operation timing with CL = 2.5, CL=3.
In this case, the internal precharge operation does not begin until after t RAS (min) has command.
AP
Represents the start of internal precharging.
The Read with Auto-precharge command cannot be interrupted by any other command.
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 43 -
Revision A08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
|---|---|
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| W9425G6JB-5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ, IN |
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