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参数资料
| 型号： | W9425G6EH-5 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 45/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| 标准包装： | 108 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR SDRAM |
| 存储容量： | 256M（16Mx16） |
| 速度： | 250MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 66-TSOP II |
| 包装： | 托盘 |
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W9425G6EH
11.11 Read Interrupted by Read (CL = 2, BL = 2, 4, 8)
CLK
CLK
CMD
ACT
t RCD
READ A
t CCD
READ B
t CCD
READ C
t CCD
READ D
t CCD
READ E
ADD
Row
Address
COl,Add,A
Col,Add,B
Col,Add,C
Col,Add,D
Col,Add,E
DQS
DQ
QA0
QA1
QB0
QB1
QC0
11.12 Burst Read Stop (BL = 8)
CLK
CLK
CMD
READ
BST
CAS Latency = 2
DQS
CAS Latency
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
CAS Latency = 3
DQS
CAS Latency
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 45 -
Revision A08
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PDF描述 |
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参数描述 |
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