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参数资料
| 型号： | VND5E012AYTR-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 模拟信号调理 |
| 英文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSOP-36 |
| 文件页数： | 9/37页 |
| 文件大小： | 924K |
| 代理商： | VND5E012AYTR-E |
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VND5E012AY-E
Electrical specifications
Doc ID 13621 Rev 2
Table 12.
Electrical transient requirements (part 1)
ISO 7637-2:
2004(E)
Test Pulse
Test levels(1)
1.
The above test levels must be considered referred to VCC = 13.5 V except for pulse 5b.
Number of
pulses or
test times
Burst cycle/pulse
repetition time
Delays and
impedance
III
IV
1
-75 V
-100 V
5000
pulses
0.5 s
5 s
2 ms, 10
Ω
2a
+37 V
+50 V
5000
pulses
0.2 s
5 s
50
μs, 2 Ω
3a
-100 V
-150 V
1h
90 ms
100 ms
0.1
μs, 50 Ω
3b
+75 V
+100 V
1h
90 ms
100 ms
0.1
μs, 50 Ω
4
-6 V
-7 V
1 pulse
100 ms, 0.01
Ω
5b(2)
2.
Valid in case of external load dump clamp: 40 V maximum referred to ground.
+65 V
+87 V
1 pulse
400 ms, 2
Ω
Table 13.
Electrical transient requirements (part 2)
ISO 7637-2:
2004(E)
Test pulse
Test level results(1)
1.
The above test levels must be considered referred to VCC = 13.5 V except for pulse 5b
III
IV
1C
C
2a
C
3a
C
3b
C
4C
C
5b(2) (3)
2.
Valid in case of external load dump clamp: 40 V maximum referred to ground.
3.
Suppressed load dump (pulse 5b) is withstood with a minimum load connected as specified in
CC
Table 14.
Electrical transient requirements (part 3)
Class
Contents
C
All functions of the device are performed as designed after exposure to disturbance.
E
One or more functions of the device are not performed as designed after exposure to
disturbance and cannot be returned to proper operation without replacing the device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050S5-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VND5E012MY-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E012MYTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AK-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AKTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025ASTR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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