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参数资料
| 型号： | VND5E012AYTR-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 模拟信号调理 |
| 英文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSOP-36 |
| 文件页数： | 7/37页 |
| 文件大小： | 924K |
| 代理商： | VND5E012AYTR-E |
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VND5E012AY-E
Electrical specifications
Doc ID 13621 Rev 2
Figure 8.
Switching characteristics
Table 11.
Truth table
Conditions
Input
Output
Sense(VCSD=0V)(1)
1.
If the VCSD is high, the SENSE output is at a high impedance, its potential depends on leakage currents
and external circuit.
Normal operation
L
H
L
H
0
Nominal
Overtemperature
L
H
L
0
VSENSEH
Undervoltage
L
H
L
0
Overload
H
X
(no power limitation)
Cycling
(power limitation)
Nominal
VSENSEH
Short circuit to GND
(Power limitation)
L
H
L
0
VSENSEH
Open load off-state
(with external pull up)
LH
VSENSEH
Short circuit to VCC
(external pull up disconnected)
L
H
VSENSEH
< Nominal
Negative output voltage clamp
L
0
VOUT
dVOUT/dt(on)
tr
80%
10%
tf
dVOUT/dt(off)
td(off)
td(on)
INPUT
t
90%
tWon
tWoff
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050S5-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| VND5E025AKTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025ASTR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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