- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录202515 > VND5E012AYTR-E (STMICROELECTRONICS) SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | VND5E012AYTR-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 模拟信号调理 |
| 英文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSOP-36 |
| 文件页数： | 25/37页 |
| 文件大小： | 924K |
| 代理商： | VND5E012AYTR-E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页
VND5E012AY-E
Package and PCB thermal data
Doc ID 13621 Rev 2
Figure 38. Thermal fitting model of a double channel HSD in PowerSSO-36(1)
1.
The fitting model is a semplified thermal tool and is valid for transient evolutions where the embedded
protections (power limitation or thermal cycling during thermal shutdown) are not triggered
Equation 4: pulse calculation formula
Table 15.
Thermal parameter
Area/island (cm2)Footprint
2
8
R1 (°C/W)
0.1
R2 (°C/W)
0.3
R3 (°C/W)
4
R4 (°C/W)
8
R5 (°C/W)
20
16
11
R6 (°C/W)
28
21
12
R7 (°C/W)
0.1
R8 (°C/W)
0.3
C1 (W.s/°C)
0.0025
C2 (W.s/°C)
0.005
C3 (W.s/°C)
0.04
C4 (W.s/°C)
0.5
C5 (W.s/°C)
0.8
2
4
C6 (W.s/°C)
2.8
5
14
C7 (W.s/°C)
0.0025
C8 (W.s/°C)
0.005
Z
TH
δ
R
TH δ
Z
THtp
1
δ
–
()
+
=
where
δ
t
p
T
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050S5-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VND5E012MY-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E012MYTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AK-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AKTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025ASTR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。