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参数资料
| 型号： | VND5E012AYTR-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 模拟信号调理 |
| 英文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSOP-36 |
| 文件页数： | 34/37页 |
| 文件大小： | 924K |
| 代理商： | VND5E012AYTR-E |
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Block diagram and pin description
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
Figure 2.
Configuration diagram (top view)
Table 2.
Suggested connections for unused and not connected pins
Connection /
pin
Current sense
N.C.
Output
Input
CS_DIS
Floating
Not allowed
X
To ground
Through 1 K
Ω
resistor
X
Not
allowed
Through 10 K
Ω
resistor
Through 10 K
Ω
resistor
TAB = VCC
OUT1 - 1
OUT1 - 2
OUT1
- 3
OUT1
- 4
OUT1 - 5
OUT1 - 6
OUT1 - 7
OUT1 - 8
OUT1 - 9
OUT1 -10
36 - OUT2
35 - OUT2
34 - OUT2
33 - OUT2
32 - OUT2
31 - OUT2
30 - OUT2
29 - OUT2
28 - OUT2
27 - OUT2
N.C. - 11
IN1 - 13
N.C. - 14
N.C - 12
CS1 - 15
N.C. - 16
N.C. - 17
GND - 18
26 - N.C.
25 - N.C.
22 - CS2
21 - N.C.
20 - N.C.
19 - CS_DIS.
24 - IN2
23 - N.C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050S5-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VND5E012MY-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E012MYTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AK-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AKTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025ASTR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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