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参数资料
| 型号： | VND5E012AYTR-E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 模拟信号调理 |
| 英文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSOP-36 |
| 文件页数： | 2/37页 |
| 文件大小： | 924K |
| 代理商： | VND5E012AYTR-E |
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Electrical specifications
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
)
Table 7.
Current sense (8V<VCC<18V)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
K0
IOUT/ISENSE
IOUT=0.25A; VSENSE=0.5V
Tj= -40°C...150°C
2615
5130
7770
K1
IOUT/ISENSE
IOUT=5A; VSENSE=0.5V
Tj=-40°C...150°C
Tj=25°C...150°C
4155
4530
5330
6650
6130
dK1/K1
(1)
Current sense ratio
drift
IOUT=5A; VSENSE= 0.5V;
VCSD=0V;
TJ= -40 °C to 150 °C
-8
8
%
K2
IOUT/ISENSE
IOUT=10A; VSENSE=4V
Tj=-40°C...150°C
Tj=25°C...150°C
4705
4865
5290
5950
5715
dK2/K2
(1)
Current sense ratio
drift
IOUT= 10 A; VSENSE= 4 V;
VCSD=0V;
TJ= -40 °C to 150 °C
-5
5
%
K3
IOUT/ISENSE
IOUT=25A; VSENSE=4V
Tj=-40°C...150°C
Tj=25°C...150°C
4935
4985
5250
5565
5515
dK3/K3
(1)
Current sense ratio
drift
IOUT= 25 A; VSENSE= 4 V;
VCSD= 0V;
TJ= -40 °C to 150 °C
-4
4
%
ISENSE0
Analog sense
leakage current
IOUT=0A; VSENSE=0V;
VCSD=5V; VIN=0V;
Tj=-40°C...150°C
VCSD=0V; VIN=5V;
Tj=-40°C...150°C
IOUT=5A; VSENSE=0V;
VCSD=VIN=5V;
0
1
2
1
A
VSENSE
Max analog sense
output voltage
IOUT=15A; VCSD=0V
5
V
VSENSEH
Analog sense output
voltage in
overtemperature
condition
VCC=13V; RSENSE=10KΩ
8V
ISENSEH
Analog sense output
current in
overtemperature
condition
VCC=13V; VSENSE=5V
9
mA
tDSENSE1H
Delay response time
from falling edge of
CS_DIS pin
VSENSE<4V, 1.5A<Iout<25A
ISENSE=90% of ISENSE max
(see fig Figure 4)
50
100
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNL5050S5-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8 |
| VNL5050N3TR-E | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3 |
| VO27.0000000M0000001 | VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT |
| VP06DDC1R0N999 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
| VP06DDC1R0N001 | 0.3 W, SMPS TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VND5E012MY-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E012MYTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AK-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025AKTR-E | 功能描述:功率驱动器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| VND5E025ASTR-E | 功能描述:功率驱动器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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