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参数资料
| 型号： | MWI35-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 62A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 35-12 A7
16
160
12
600
E on
mJ
12
8
4
t d(on)
t r
E on
V CE = 600V
V GE = ±15V
R G = 39 Ω
T J = 125°C
ns
120
80
40
t
E off
mJ
10
8
6
4
2
t d(off)
E off
V CE = 600V
V GE = ±15V
R G = 39 Ω
T J = 125°C
t f
ns
500
400 t
300
200
100
0
0
0
0
0
20
40
60
A
80
0
20
40
60
A
80
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
20
mJ
E on 15
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 35A
T J = 125°C
t d(on)
t r
E on
240
ns
180
t
E off
10
mJ
8
6
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 35A
T J = 125°C
t d(off)
E off
1500
ns
1200
900
t
10
120
4
600
5
60
2
300
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 Ω
0
0
0
20
40
60
t f
80 100 120 140 160 Ω
0
80
A
70
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
K/W
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
I CM
60
50
R G = 39 Ω
1
Z thJC
0.1
diode
IGBT
40
T J = 125°C
30
20
10
V CEK < V CES
0.01
0.001
0
0.0001
single pulse
MWI35-12A7
0
200
400
600
800 1000 1200 V
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
s
1
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
RBSOA
20070912a
? 2007 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MWI45-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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