- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录629 > MWI35-12A7 (IXYS)MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MWI35-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 62A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 35-12 A7
80
A
70
T J = 25°C
V GE =17V
15V
80
A
70
T J = 125°C
V GE =17V
15V
I C
60
50
13V
11V
I C
60
50
13V
11V
40
40
30
30
9V
20
10
0
9V
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
3.5 V
80
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
80
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
A
70
V CE = 20V
T J = 25°C
A 70
T J = 125°C
I C
60
50
I F
60
50
T J = 25°C
40
30
20
10
0
40
30
20
10
0
5
6
7
8
9
10
11 V
0
1
2
3
V
4
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
V V CE = 600V
60
300
I C
= 35A
A
ns
V GE
15
I RM
40
t rr
200
t rr
10
T J = 125°C
5
20
I RM
V R = 600V
I F = 35A
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 nC
Q G
0
0
200
400
MWI35-12A7
A/
600 800 μ s 1000
-di/dt
0
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
? 2007 IXYS All rights reserved
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
20070912a
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI45-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| MWI450-12E9 | MOD IGBT SIXPACK E+ |
| MWI50-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI50-12A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| MWI50-12T7T | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI35-12A7T | 功能描述:IGBT 模块 35 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI450-12E9 | 功能描述:分立半导体模块 450 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI451-17E9 | 功能描述:IGBT 模块 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI45-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。