- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录629 > MWI35-12A7 (IXYS)MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MWI35-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 62A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 35-12 A7
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
50
33
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 35 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 35 A; di F /dt = -400 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
1.9
20
200
2.8
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.6 V; R 0 = 28 m Ω
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.3 V; R 0 = 24.9 m Ω
R thJC
(per diode)
1.19 K/W
Thermal Response
Temperature Sensor NTC (MWI ... A7T version only)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25 k Ω
K
IGBT (typ.)
C th1 = 0.166 J/K; R th1 = 0.342 K/W
Module
C th2 = 1.921 J/K; R th2 = 0.098 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
C th1 = 0.081 J/K; R th1 = 0.973 K/W
T VJ
T stg
V ISOL
M d
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
-40...+150
-40...+125
2500
2.7 - 3.3
° C
° C
V~
Nm
C th2 = 0.915 J/K; R th2 = 0.217 K/W
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R pin-chip
5
m Ω
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Higher magnification on page B3 - 72
20070912a
? 2007 IXYS All rights reserved
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI45-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| MWI450-12E9 | MOD IGBT SIXPACK E+ |
| MWI50-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI50-12A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| MWI50-12T7T | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI35-12A7T | 功能描述:IGBT 模块 35 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI450-12E9 | 功能描述:分立半导体模块 450 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI451-17E9 | 功能描述:IGBT 模块 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI45-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。