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参数资料
| 型号： | MWI45-12T6K |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.3V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 43A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 400µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.81nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MWI 45-12T6K
IGBT Module
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
Preliminary data
Part name (Marking on product)
MWI 45- 2T6K
0, 23
I C25 = 43 A
V CES = 1200 V
V CE(sat) typ. = 1.9 V
8
NTC
4
3
8
7
22
2
, 2
5, 6
7
9, 20
E72873
Pin configuration see outlines.
6
5
9, 24
Features:
? Trench IGBTs
- low saturation voltage
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance also in resonant circuits
? HiPerFRED TM diode:
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
? Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated copper base plate
4
3
Application:
? AC drives
? UPS
? Welding
2
Package:
? UL registered
? Industry standard E -pack
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
2007 3a
-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI450-12E9 | MOD IGBT SIXPACK E+ |
| MWI50-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI50-12A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| MWI50-12T7T | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
| MWI60-06G6K | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI50-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI50-12A5 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack |
| MWI50-12A7 | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI50-12A7T | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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