参数资料
型号: MWI25-12A7
厂商: IXYS
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描述: MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.7V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 50A
电流 - 集电极截止(最大): 2mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1.65nF @ 25V
功率 - 最大: 225W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MWI 25-12A7(T)
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching times
versus collector current
FIG. 8 
TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING TIMES  
versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching times
versus gate resistor
FIG.10  TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING TIMES  
versus gate resistor
FIG. 11   REVERSE BIASED SAFE OPERATING AREA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
Fig. 12
Typ. transient thermal impedance
20080805a
6-6
相关PDF资料
PDF描述
F1892SDK1600 MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC
DS32KHZS# IC OSC 32.768KHZ TEMPCOMP 16SOIC
F1892SD1600 MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC
F1892SDK1400 MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC
F1892SD1400 MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC
相关代理商/技术参数
参数描述
MWI25-12A7T 功能描述:IGBT 模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MWI25-12E7 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI300-12E9 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI300-17E9 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI30-06A7 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: