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参数资料
| 型号： | MWI25-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.65nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 25-12A7(T)
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
I ISOL < 1 MA; 50/60 HZ
-40
-40
125
150
125
2500
°C
°C
°C
V~
M d
d S
d A
mounting torque
creep distance on surface
strike distance through air
(M4)
2.7
6
6
3.3
NM
mm
mm
Weight
180
g
R thCH
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
K/W
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/50
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.75
typ.
5.0
3375
max.
5.25
Unit
k W
K
Equivalent Circuits for Simulation
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
IGBT
Diode
Conditions
T1 - T6
D1 - D6
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
min.
typ.
1.5
40.7
1.3
16
max.
Unit
V
m W
V
m W
∑
R1
C1
R2
C2
R3
C3
R4
C4
Zth ( t ) =
n
i = 1
? ? τ i ? ?
?
R i ? 1 ? exp ? t ? ?
τ i = R i ? C i
R 1
R 2
C 1
C 2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
IGBT
-
-
-
-
Diode
-
-
-
-
20080805a
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1892SDK1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| DS32KHZS# | IC OSC 32.768KHZ TEMPCOMP 16SOIC |
| F1892SD1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| F1892SDK1400 | MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC |
| F1892SD1400 | MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI25-12A7T | 功能描述:IGBT 模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI25-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI300-12E9 | 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI300-17E9 | 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI30-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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