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参数资料
| 型号： | MWI25-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.65nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 25-12A7(T)
Outline Drawing
Product Marking
DIMENSIONS IN MM (1 MM = 0.0394“)
Ordering
Part Name
Marking on Product Delivering Mode Base Qty Ordering Code
Standard
Standard
MWI 15-12A7
MWI 15-12A7T
MWI15-12A7
MWI15-12A7T
Box
Box
10
10
482730
480819
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080805a
4-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1892SDK1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| DS32KHZS# | IC OSC 32.768KHZ TEMPCOMP 16SOIC |
| F1892SD1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| F1892SDK1400 | MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC |
| F1892SD1400 | MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI25-12A7T | 功能描述:IGBT 模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI25-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI300-12E9 | 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI300-17E9 | 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI30-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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