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参数资料
| 型号： | MWI25-12A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 1.65nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 25-12A7(T)
IGBTs
Ratings
Symbol
V CES
V GES
V GEM
I C25
I C80
P tot
Definitions
collector emitter voltage
max. DC gate voltage
max. transient collector gate voltage
collector current
total power dissipation
Conditions
continuous
transient
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
T C = 25°C
min.
typ.
max.
1200
±20
±30
50
35
225
Unit
V
V
V
A
A
W
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
collector emitter saturation voltage
gate emitter threshold voltage
collector emitter leakage current
I C = 25 A; V GE = 15 V
I C = 1 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
4.5
2.2
2.6
2
2.7
6.5
2
V
V
V
mA
mA
I GES
C ies
Q G(on)
gate emitter leakage current
input capacitance
total gate charge
V CE = 0 V; V GE = ±20 V
V CE = 25 V; V GE = 0 V; F = 1 MHZ
V CE = 600 V; V GE = 15 V; I C = 35 A
1650
120
200
nA
pF
nC
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
turn-on delay time
current rise time
turn-off delay time
current fall time
turn-on energy per pulse
turn-off energy per pulse
inductive load
V CE = 600 V; I C = 25 A
V GE = ±15 V; R G = 47 W
T VJ = 125°C
100
70
500
70
3.8
2.8
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
I CM
reverse bias safe operating area
RBSOA; V GE = ±15 V; R G = 47 W
L = 100 μH; clamped induct. load T VJ = 125°C
V CEmax = V CES - L S · di/dt
70
A
t SC
(SCSOA)
R thJC
short circuit safe operating area
thermal resistance junction to case
V CE = V CES ; V GE = ±15 V;
R G = 47 W ; non-repetitive
(PER IGBT)
T VJ = 125°C
10
0.55
μS
K/W
Diodes
Ratings
Symbol
V RRM
I F25
I F80
V F
I RM
t rr
E rec(off)
R thJC
Definitions
max. repetitve reverse voltage
forward current
forward voltage
max. reverse recovery current
reverse recovery time
reverse recovery energy
thermal resistance junction to case
Conditions
I F = 25 A; V GE = 0 V
V R = 600 V
di F /DT = -400 A/μS
I F = 25 A; V GE = 0 V
(per diode)
T VJ = 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
min.
typ.
2.3
1.7
20
200
1.3
max.
1200
50
33
2.7
1.19
Unit
V
A
A
V
V
A
ns
mJ
K/W
T C = 25°C unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080805a
2-6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1892SDK1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| DS32KHZS# | IC OSC 32.768KHZ TEMPCOMP 16SOIC |
| F1892SD1600 | MODULE SCR/DIODE 90A 600VAC |
| F1892SDK1400 | MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC |
| F1892SD1400 | MODULE SCR/DIODE 90A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MWI25-12A7T | 功能描述:IGBT 模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MWI25-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI300-12E9 | 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI300-17E9 | 功能描述:分立半导体模块 300 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI30-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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