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参数资料
| 型号： | MRF1550FNT1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272BA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1264A-03, 6 PIN |
| 文件页数： | 17/18页 |
| 文件大小： | 461K |
| 代理商： | MRF1550FNT1 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
Table 5. Common Source Scattering Parameters (VDD = 12.5 Vdc) (continued)
IDQ = 4.0 mA (continued)
f
S11
S21
S12
S22
f
MHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
400
0.97
-179
0.49
63
0.005
58
0.97
-173
450
0.98
-178
0.41
63
0.005
73
0.98
-173
500
0.98
-178
0.36
62
0.003
128
0.98
-173
550
0.98
-178
0.32
58
0.004
57
0.99
-174
600
0.98
-178
0.27
58
0.009
83
0.98
-174
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MRF1570FNT1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MRF1550N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1550NT1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS FET HI PWR TO272FN RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF1550NT1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF1550T | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
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