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参数资料
| 型号： | NTD4970N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 38A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 774pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4970N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
1100
1000
900
800
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
Q T
700
6
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
C rss
C oss
15
20
25
30
5
4
3
2
1
0
0
1
Q gs
2
3 4
Q gd
5 6
7
8
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 A
9 10 11 12 13 14 15 16
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t f
t d(off)
25
20
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
t r
15
10
t d(on)
10
5
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
12
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 m s
11
10
9
8
I D = 15 A
10
100 m s
1 ms
7
6
1
0 V < V GS < 10 V
Single Pulse
10 ms
5
4
0.1
0.01
0.01
T C = 25 ° C
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
dc
100
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD3300021 | OSC 33MHZ 3.3V SMD |
| FD3120001 | OSC 31.25MHZ 3.3V SMD |
| 1825202-4 | SWITCH SLIDE 3POS VERT BLCK MSSA |
| FD3000016 | OSC 30MHZ 3.3V SMD |
| FD2600030 | OSC 26MHZ 3.3V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4970N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4970NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4979N-1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4979N-35G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4979NT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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