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参数资料
| 型号： | NTD4970N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 38A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 774pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4970N
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Junction ? to ? Case (Drain)
Junction ? to ? TAB (Drain)
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 3)
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 4)
Symbol
R q JC
R q JC ? TAB
R q JA
R q JA
Value
6.1
4.3
58.9
108.9
Unit
° C/W
3. Surface ? mounted on FR4 board using 1 sq ? in pad, 1 oz Cu.
4. Surface ? mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /
T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
30
17
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 24 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.0
10
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.5
1.9
2.5
V
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH) /T J
4.5
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
I D = 30 A
I D = 15 A
I D = 30 A
8.3
8.2
14.6
11
21
m W
I D = 15 A
13.2
Forward Transconductance
g FS
V DS = 1.5 V, I D = 30 A
34
S
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C ISS
774
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Total Gate Charge
C OSS
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
Q G(TOT)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = 15 V
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V, I D = 30 A
V GS = 10 V, V DS = 15 V, I D = 30 A
306
161
8.2
1.5
3.0
4.0
15.8
pF
nC
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
10
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
27.6
12.5
5.7
ns
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
7. Assume terminal length of 110 mils.
http://onsemi.com
2
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