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参数资料
| 型号： | NTD4970N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 38A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 774pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4970N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
6.3
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
19.5
16.2
3.7
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.97
0.88
1.1
V
Reverse Recovery Time
t RR
19.6
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
10.2
9.4
7.0
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance (Note 7)
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.85
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 7)
Gate Inductance (Note 7)
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
4.9
Gate Resistance
R G
0.8
2.2
W
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
7. Assume terminal length of 110 mils.
ORDERING INFORMATION
NTD4970NT4G
NTD4970N ? 1G
NTD4970N ? 35G
Device
Package
DPAK
(Pb ? Free)
IPAK
(Pb ? Free)
IPAK Trimmed Lead
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NTD4970N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4970NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4979N-1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4979N-35G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4979NT4G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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