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参数资料
| 型号： | NTD3055-150-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD3055 ? 150, NVD3055 ? 150
560
480
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
400
320
240
C rss
C iss
8
6
Q 1
Q 2
V GS
160
4
80
0
10
5 V GS 0 V DS 5
C rss
10
15
C oss
20
25
2
0
0
1
2
3
4
5
6
I D = 9 A
T J = 25 ° C
7
8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 30 V
I D = 9 A
V GS = 10 V
10
8
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
6
t f
t d(off)
4
2
10
1
10
t d(on)
100
0
0.6
0.68
0.76
0.84
0.92
1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
32
24
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
I D = 7.75 A
10
100 m s
10 m s
16
1
1 ms
10 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
8
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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