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参数资料
| 型号： | NTD3055-150-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD3055 ? 150, NVD3055 ? 150
20
V GS = 10 V
20
V DS ≥ 10 V
16
12
8
V GS = 9 V
V GS = 8 V
V GS = 7 V
V GS = 6 V
16
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
V GS = 5 V
6
7
8
4
0
3
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
4
T J = ? 55 ° C
5 6
7
8
9
0.5
0.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
0.5
0.4
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 15 V
0.3
0.2
0.1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.3
0.2
0.1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
4
8
12
16
20
24
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.2
2
I D = 4.5 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
100
10
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
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PDF描述 |
|---|---|
| ASA1-36.000MHZ-L-T3 | OSC 36.000 MHZ 2.5V SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD3055-150G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055-150T4 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055-150T4G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055AV1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD3055AVL1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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