参数资料
型号: NDD04N60Z-1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
功率 - 最大: 83W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDF04N60Z, NDD04N60Z
PACKAGE DIMENSIONS
IPAK
CASE 369D
ISSUE C
V
B
R
C
E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
S
1
4
2
3
A
Z
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
? T ?
SEATING
PLANE
F
G
K
J
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T
H
E 0.018 0.023
F 0.037 0.045
G 0.090 BSC
H 0.034 0.040
J 0.018 0.023
K 0.350 0.380
R 0.180 0.215
S 0.025 0.040
V 0.035 0.050
Z 0.155 ???
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
0.46 0.58
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
4.45 5.45
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
http://onsemi.com
8
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NDD04N60ZT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDD04N62Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 
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