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参数资料
| 型号： | NDD04N60Z-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDD04N60Z-1G-ND NDD04N60Z-1GOS |
NDF04N60Z, NDD04N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
50% (DUTY CYCLE)
1.0
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
0.01
1.0%
SINGLE PULSE
R q JC = 4.2 ° C/W
Steady State
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Impedance for NDF04N60Z
10
1.0
0.1
0.01
50% (DUTY CYCLE)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JC = 1.5 ° C/W
Steady State
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 14. Thermal Impedance for NDD04N60Z
LEADS
HEATSINK
0.110 ″ MIN
Figure 15. Mounting Position for Isolation Test
Measurement made between leads and heatsink with all leads shorted together.
*For additional mounting information, please download the ON Semiconductor
Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF10N20C | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F |
| 14025 | TOOL CRIMP USE W/POSITIONERS |
| 14151 | TOOL HAND CRIMPER & DIE SET |
| 194-12MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 12 SEC |
| SA2800 | TOOL HAND CRIMPER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD04N60ZG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NDD Series 600 V 1.8 Ohm 83 W Surface Mount N-Channel Power MOSFET - TO-252-3 |
| NDD04N60ZT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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