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参数资料
| 型号： | NDD04N60Z-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NDD04N60Z-1G-ND NDD04N60Z-1GOS |
NDF04N60Z, NDD04N60Z
PACKAGE DIMENSIONS
TO ? 220 FULLPAK
CASE 221D ? 03
ISSUE K
F
? B ?
C
? T ?
S
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. 221D-01 THRU 221D-02 OBSOLETE, NEW
STANDARD 221D-03.
A
Q
U
DIM
A
INCHES
MIN MAX
0.617 0.635
MILLIMETERS
MIN MAX
15.67 16.12
B
0.392 0.419
9.96 10.63
1 2 3
C
0.177 0.193
4.50 4.90
K
H
? Y ?
D
F
G
H
0.024 0.039
0.116 0.129
0.100 BSC
0.118 0.135
0.60 1.00
2.95 3.28
2.54 BSC
3.00 3.43
J
K
0.018 0.025
0.503 0.541
0.45 0.63
12.78 13.73
D
G
N
L
3 PL
J
R
L
N
Q
R
S
U
0.048 0.058
0.200 BSC
0.122 0.138
0.099 0.117
0.092 0.113
0.239 0.271
1.23 1.47
5.08 BSC
3.10 3.50
2.51 2.96
2.34 2.87
6.06 6.88
0.25 (0.010)
M
B
M
Y
STYLE 1:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
TO ? 220 FULLPACK, 3 ? LEAD
CASE 221AH
ISSUE D
NOTES:
E/2
E
A
P
0.14
M
B A
M
H1
A
B
A1
SEATING
PLANE
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. CONTOUR UNCONTROLLED IN THIS AREA.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
AND GATE PROTRUSIONS. MOLD FLASH AND GATE
PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.13 PER SIDE. THESE
DIMENSIONS ARE TO BE MEASURED AT OUTERMOST
Q
1 2 3
D
C
NOTE 3
EXTREME OF THE PLASTIC BODY.
5. DIMENSION b2 DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. LEAD WIDTH INCLUDING PROTRUSION
SHALL NOT EXCEED 2.00.
MILLIMETERS
DIM
MIN MAX
L
L1
A
A1
A2
4.30 4.70
2.50 2.90
2.50 2.70
3X
b2
e
3X
b
0.25
M
B A
M
C
c
A2
b
b2
c
D
E
e
0.54 0.84
1.10 1.40
0.49 0.79
14.70 15.30
9.70 10.30
2.54 BSC
http://onsemi.com
7
H1
L
L1
P
Q
6.70 7.10
12.70 14.73
--- 2.10
3.00 3.40
2.80 3.20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF10N20C | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F |
| 14025 | TOOL CRIMP USE W/POSITIONERS |
| 14151 | TOOL HAND CRIMPER & DIE SET |
| 194-12MST | SWITCH SIDE ACTUATED GOLD 12 SEC |
| SA2800 | TOOL HAND CRIMPER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDD04N60ZG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NDD Series 600 V 1.8 Ohm 83 W Surface Mount N-Channel Power MOSFET - TO-252-3 |
| NDD04N60ZT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDD04N62Z | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 |
| NDD04N62Z-1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 |
| NDD04N62ZT4G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 |
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