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参数资料
型号： MRF5S21100HR3
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 功率晶体管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封装： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件页数： 12/12页
文件大小： 416K
代理商： MRF5S21100HR3
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相关PDF资料
PDF描述
MRF5S21100LSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21100LR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF5S21100L S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF5S21130HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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参数描述
MRF5S21100HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S21100HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S21100LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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