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参数资料
| 型号： | MRF5S19150SR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | MRF5S19150SR3 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
Fr
eescale
Semiconductor
,Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF5S19150R3 MRF5S19150SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
0
45
70
25
Gps
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG., NCDMA
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain, Drain Efficiency versus Output Power
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
η
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
2 x NCDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
ACPR
η
40
30
35
30
40
25
45
20
50
15
55
10
60
5
65
1
100
0
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 9. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
(dB)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
+ACPR @ 30 kHz
Integrated BW
IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 @
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
220
106
109
100
Figure 10. MTBF Factor versus Junction Temperature
MTBF
FACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
108
107
120
140
160
180
200
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTBF factor by ID2 for MTBF in a particular application.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19150R3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S19150S | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21045MBR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF5S21045MR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF5S21045NR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21045 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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