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参数资料
| 型号： | MRF275G |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 375-04, 4 PIN |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | MRF275G |
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. Capacitance versus Drain–Source Voltage*
*Data shown applies only to one half of
device, MRF275G
100
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (V)
1
10
Figure 9. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
25
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
1.3
515
1.1
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
–25
175
0
V
GS
,GA
TE–SOURCE
VOL
TAGE
(NORMALIZED)
10
75
125
Figure 10. DC Safe Operating Area
100
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (V)
10
1000
0.8
1
0.9
20
1
100
1.2
25
VGS = 0 V
f = 1.0 MHz
200
VDD = 28 V
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
Coss
0.7
150
1
Ciss
Crss
30
ID = 4 A
3 A
2 A
0.1 A
50
0
100
10
TC = 25°C
5
REV 1
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PDF描述 |
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