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参数资料
| 型号： | MRF136 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 211-07, 4 PIN |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | MRF136 |
TYPICAL CHARACTERISTICS
400
Figure 2. Output Power versus Input Power
Figure 3. Output Power versus Input Power
Figure 4. Output Power versus Input Power
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
Figure 7. Output Power versus Supply Voltage
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
200
600
800
1000
f = 100 MHz
f = 400 MHz
IDQ = 25 mA
150 MHz
200 MHz
f = 100 MHz
VDD = 13.5 V
IDQ = 25 mA
Pin, INPUT POWER (MILLWATTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
01
2
3
4
Pin, INPUT POWER (WATTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
200
400
600
800
1000
Pin, INPUT POWER (MILLWATTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
200 MHz
150 MHz
24
21
18
15
12
9
6
3
0
12
16
20
24
28
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
14
18
22
26
400 mW
200 mW
0.7 W
VDD = 28 V
VDD = 13.5 V
IDQ = 25 mA
f = 100 MHz
Pin = 600 mW
12
16
20
24
28
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
14
18
22
26
600 mW
300 mW
IDQ = 25 mA
f = 150 MHz
Pin = 900 mW
24
21
18
15
12
9
6
3
0
12
16
20
24
28
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
P out
,OUTPUT
POWER
(W
A
TTS)
14
18
22
26
0.4 W
Pin = 1 W
IDQ = 25 mA
f = 200 MHz
VDD = 28 V
IDQ = 25 mA
24
21
18
15
12
9
6
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0
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REV 7
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参数描述 |
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| MRF137 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF13750HR5 | 功能描述:RF POWER LDMOS TRANSISTOR 750 W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:700MHz ~ 1.3GHz 增益:20.6dB 电压 - 测试:50V 额定电流:10μA 噪声系数:- 功率 - 输出:650W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230H-4S 标准包装:1 |
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