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参数资料
| 型号： | IXGN50N120C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4.2V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 95A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN50N120C3H1
Fig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.
Gate Resistance
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.
Collector Current
6.0
11
4.0
8
5.5
5.0
E off E on - ---
T J = 125oC , V GE = 15V
V CE = 600V
10
9
3.5
3.0
E off E on ----
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
7
6
4.5
I
C
= 80A
8
2.5
T J = 125oC
5
4.0
3.5
3.0
7
6
5
2.0
1.5
4
3
2.5
2.0
I C = 40A
4
3
1.0
0.5
T J = 25oC
2
1
1.5
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
2
0.0
20
30
40
50
60
70
80
0
R G - Ohms
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.
Junction Temperature
I C - Amperes
Fig. 15. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
4.0
10
500
600
3.6
3.2
2.8
2.4
E off E on ----
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
I C = 80A
9
8
7
6
450
400
350
300
t fi t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 600V
550
500
450
400
2.0
1.6
1.2
I C = 40A
5
4
3
250
200
150
I
C
= 40A
I
C = 80A
350
300
250
0.8
0.4
0.0
2
1
0
100
50
0
200
150
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Collector Current
R G - Ohms
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
450
260
350
180
400
350
300
t fi t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
240
220
200
300
250
t f i t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GE = 15V
V CE = 600V
I C = 40A
170
160
250
180
200
150
200
T J = 125oC
160
150
I
C
= 80A
140
150
140
100
130
100
120
50
0
T J = 25oC
100
80
50
0
120
110
20
30
40
50
60
70
80
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I C - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
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| IXGN72N60C3H1 | IGBT 78A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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