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参数资料
| 型号： | IXGN50N120C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4.2V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 95A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
Advance Technical Information
GenX3 TM 1200V
IGBT w/ Diode
IXGN50N120C3H1
V CES
I C110
V CE(sat)
= 1200V
= 50A
≤ ￡ 4.2V
High-Speed PT IGBT for
20-50 kHz Switching
SOT-227B, miniBLOC
E153432
Symbol
V CES
V CGR
V GES
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
1200
1200
± 20
V
V
V
G
E
V GEM
I C25
I C110
I F110
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
Transient
T C = 25 ° C
T C = 110 ° C
T C = 110 ° C
T C = 25 ° C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 2 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
± 30
95
50
58
240
I CM = 100
V CE ≤ V CES
460
-55 ... +150
V
A
A
A
A
A
W
° C
E
C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
T JM
T stg
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
V~
V~
Optimized for Low Switching Losses
Square RBSOA
High Current Capability
Isolation Voltage 2500 V~
Anti-Parallel Ultra Fast Diode
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
International Standard Package
Advantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Power Inverters
UPS
V GE(th)
I CES
I C = 250 μ A, V CE = V GE
V CE = V CES , V GE = 0V
T J = 125°C
3.0
5.0
250
14
V
μ A
mA
SMPS
PFC Circuits
Welding Machines
Lamp Ballasts
I GES
V CE = 0V, V GE = ±20V
±100
nA
V CE(sat)
I C
= 40A, V GE = 15V, Note 1
T J = 125°C
2.6
4.2
V
V
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100246(03/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
| IXGN60N60 | IGBT 600V 100A SOT-227B |
| IXGN72N60A3 | IGBT 160A 600V SOT-227B |
| IXGN72N60C3H1 | IGBT 78A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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