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参数资料
| 型号： | IXGN50N120C3H1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 4.2V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 95A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 250µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN50N120C3H1
100
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
275
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
90
80
70
60
50
V GE = 15V
13V
11V
9V
7V
250
225
200
175
150
125
V GE = 15V
13V
11V
9V
40
100
30
20
75
50
7V
10
0
5V
25
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
100
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
1.3
V CE - Volts
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
Junction Temperature
90
80
V GE = 15V
13V
11V
1.2
V GE = 15V
70
9V
1.1
I
C
= 100A
60
1.0
50
40
7V
0.9
0.8
30
I
C
= 50A
0.7
20
10
5V
0.6
I
C
= 25A
0
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
25
50
75
100
125
150
8.0
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
7.5
7.0
6.5
6.0
T J = 25oC
80
70
60
50
5.5
5.0
4.5
4.0
I
C
= 100A
50A
40
30
20
T J = 125oC
25oC
- 40oC
3.5
3.0
25A
10
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
V GE - Volts
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N60BD3 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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