- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXDN75N120 (IXYS)IGBT 1200V 150A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXDN75N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 150A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXDN 75N120
E on
40
mJ
30
E on
t d(on)
160
ns
120
t
20
mJ
E off 15
E off
t d(off)
800
ns
600
t
20
t r
80
10
400
V CE = 600V
V CE = 600V
V GE = ±15V
10
V GE = ±15V
40
5
R G = 15
200
R G = 15
T J = 125 ° C
0
T J = 125 ° C
0
0
t f
0
0
50
100
150 A
0
50
100
150 A
I C
Fig. 5 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 6 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
E on
25
mJ
20
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 75A
T J = 125 ° C
t d(on)
E on
200
ns
160
t
E off
25
mJ
20
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 75A
T J = 125 ° C
t d(off)
2000
ns
1600
t
15
120
15
E off
1200
10
5
t r
80
40
10
5
800
400
0
0
0
t f
0
0
8
16
24
32
40
48
56
0
8
16
24
32
40
48
56
R G
R G
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
Fig.8
Typ. turn off energy and switching
200
A
I CM 150
times versus gate resistor
1
K/W
0.1
Z thJC
0.01
times versus gate resistor
100
R G = 15
T J = 125 ° C
V CEK < V CES
0.001
50
0
0.0001
0.00001
single pulse
IXDN75N120
0
200
400
600
800
1000 1200 V
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
s
1
V CE
Fig. 9 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2000 IXYS All rights reserved
t
Fig. 10 Typ. transient thermal impedance
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| IXGN120N60A3 | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN75N120A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| IXDP20N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP20N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP35N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP610 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。