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参数资料
| 型号： | IXDN75N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 150A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXDN 75N120
150
175
A
I C 125
100
T J = 25 ° C
V GE =17 V
15V
13V
11V
175
A
150
I C 125
100
T J = 125 ° C
V GE =17V
15V
13V
11V
75
75
50
25
0
9V
50
25
0
9V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
3.5 V
150
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
300
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
A
125
V CE = 20V
T J = 25 ° C
A
250
T J = 125 ° C
I C
100
I F
200
T J = 25 ° C
75
50
25
0
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11 V
0
1
2
3
V
4
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
20
V
V CE = 600V
120
300
I C
= 75A
A
ns
V GE 15
I RM
80
t rr
200
t rr
10
T J = 125 ° C
40
V R = 600V
100
5
I RM
I F = 75A
0
IXDN75N120
0
0
0
100
200
300
400
nC
0
200
400
600
A/
800 s
1000
Q G
Fig. 4 Typ. turn on gate charge
? 2000 IXYS All rights reserved
-di/dt
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| IXGN120N60A3 | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN75N120A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| IXDP20N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP20N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP35N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP610 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610 |
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