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参数资料
| 型号： | IXDN75N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 150A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 150A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 660W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXDN 75N120
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
miniBLOC, SOT-227 B
min. typ. max.
C ies
5500
pF
C oes
C res
Q g
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
I C = 75 A, V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
Inductive load, T J = 125°C
I C = 75 A, V GE = ±15 V,
V CE = 600 V, R G = 15 W
750
330
360
100
50
650
50
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
E on
E off
12.1
10.5
mJ
mJ
M4 screws (4x) supplied
R thJC
0.19 K/W
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
R thCK
Package with heatsink compound
0.1
K/W
A
B
31.50
7.80
31.88
8.20
1.240
0.307
1.255
0.323
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
? 2000 IXYS All rights reserved
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXEN60N120D1 | IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B |
| IXGE200N60B | IGBT 600V ISOPLUS227 |
| IXGN120N60A3 | IGBT 200A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60A2 | IGBT 600V 200A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN75N120A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B |
| IXDP20N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP20N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP35N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDP610 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610 |
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