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参数资料
| 型号： | IDT71256L35YGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ |
| 标准包装： | 270 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1256 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71256L35YGI 800-1425 800-1425-5 800-1425-ND |
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
t OE
t OLZ (5)
CS
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
t OH
t OHZ(5)
t CLZ (5)
t ACS
t CHZ(5)
DATA OUT
2946 drw 07
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
t OH
DATA OUT
,
2946 drw 08
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,3,4)
CS
t CLZ (5)
t ACS
t CHZ(5)
DATA OUT
2946 drw 09
NOTES:
1. WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected, CS is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
7
6.42
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