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参数资料
| 型号： | IDT71256L35YGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ |
| 标准包装： | 270 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1256 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 71256L35YGI 800-1425 800-1425-5 800-1425-ND |
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
2946 tbl 09
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
DATA OUT
5V
480 ?
DATA OUT
5V
480 ?
255 ?
30pF*
255 ?
5pF*
2946 drw 04
Figure 1. AC Test Load
,
2946 drw 05
Figure 2. AC Test Load
,
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ, t OHZ , t OW , and t WHZ )
*Includes scope and jig capacitances
DC Electrical Characteristics (V CC = 5.0V ± 10%)
IDT71256S
IDT71256L
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Unit
|I LI |
|I LO |
V OL
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
V CC = Max.,
V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS = V IH ,
V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
MIL.
COM"L & IND.
MIL.
COM"L & IND.
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
10
5
10
5
0.4
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
2
5
2
0.4
μA
μA
V
I OL = 10mA, V CC = Min.
____
____
0.5
____
____
0.5
V OH
Output High Voltage
I OH = -4mA, V CC = Min.
2.4
____
____
2.4
____
____
V
2946 tbl 10
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V)
Typ. (1)
V CC @
Max.
V CC @
Symbol
V DR
I CCDR
t CDR
t R (3)
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
Test Condition
____
MIL.
COM'L. & IND.
CS > V HC
Min.
2.0
____
____
0
t RC (2)
2.0V
____
____
____
____
____
3.0V
____
____
____
____
____
2.0V
____
500
120
____
____
3.0V
____
800
200
____
____
Unit
V
μ A
ns
ns
NOTES:
1. T A = +25°C.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
4
2946 tbl 11
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